晶振系列
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陶瓷晶振 taocijingzhen -
32.768K Clock crystal -
貼片晶振 SMDcrystal -
石英晶振 Quartz Crystal -
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聲表面諧振器 resonator -
陶瓷濾波器 taocilvboqi -
KDS晶振 KDS CRYSTAL -
精工晶振 SEIKO CRYSTAL -
村田晶振 muRata CRYSTAL -
西鐵城晶振 CITIZEN CRYSTAL -
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微孔霧化片 微孔霧化片 -
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日本大河晶體 RIVER -
美國CTS晶體 CTS石英晶體 -
臺灣希華晶體 臺灣希華 -
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臺灣TXC晶體 TXC CRYSTAL -
臺灣泰藝晶體 TAITIEN CRYSTAL -
臺灣亞陶晶體 百利通亞陶 -
臺灣NSK晶體 NSK CRYSTAL -
瑪居禮晶振 臺灣瑪居禮晶振 -
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SHINSUNG晶振 韓國進口SHINSUNG晶振 -
SMI晶振 日本SMI貼片晶振 -
Lihom晶振 韓國Lihom晶振 -
NAKA晶振 日本納卡株式會社晶振 -
AKER晶振 臺灣安碁貼片晶振 -
NKG晶振 NKG石英晶振 -
NJR晶振 日本NJR晶振 -
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康納溫菲爾德晶振 ConnorWinfield Crystal -
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SiTime晶振 SiTime可編碼振蕩器 -
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AEL晶振 AEL CRYSTAL -
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Euroquartz晶振 Euroquartz crystal -
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MtronPTI晶振 MtronPTI晶體諧振器 -
QANTEK晶振 QANTEK石英晶振 -
QuartzCom晶振 QuartzCom石英晶體 -
Quarztechnik晶振 Quarztechnik Crystal -
Suntsu晶振 Suntsu石英貼片晶振 -
Transko晶振 Transko crystal -
Wi2Wi晶振 Wi2Wi Crystal -
Rubyquartz晶振 進口Rubyquartz CRYSTAL -
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PDI晶振 PDI CRYSTAL -
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Microchip晶振 Microchip crystal -
Silicon晶振 Silicon Crystal -
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NEL晶振 美國NEL晶振 -
EM晶振 EM CRYSTAL -
PETERMANN晶振 PETERMANN CRYSTAL -
FCD-Tech晶振 荷蘭晶振FCD-Tech -
HEC晶振 HEC CRYSTAL -
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麥克羅比特晶振 Macrobizes Crystal -
AXTAL晶振 AXTAL CRYSTAL -
ARGO晶振 ARGO晶振公司是專業提供和設計波段頻率控制設備和微波無線通信零部件.我們還分銷日本,歐洲和美國的一些知名品牌零部件.我們致力于發展與計算機,IT和無線通信公司無任何界限的信息時代.我們秉承經營者的踏實,誠懇的態度,互惠互利的精神,實現共贏的目標,以誠信為本,誠信為本,公平交易為宗旨,以誠信,勤勉,誠信,精神質量第一,客戶滿意的經營理念,將以優良的產品質量,優惠的價格,優質的服務與您建立長期穩定的合作關系,共創輝煌事業.
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SKYWORKS晶振
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Renesas瑞薩晶振
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貼片陶瓷晶振 SMD 陶振 -
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醫療產品
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汽車產品
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智能家居
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網絡設備
- 規格型號：66431852
- 頻率：3.579545MHz to 50MHz
- 尺寸：13.3*4.85
- 產品描述：Ecliptek日蝕晶振E1S,E1SJA18-25.000MTR貼片晶振,E1SJA18-6.000MTR,無源晶振，ECLIPTEK日蝕晶振，美國進口晶振，E1S系列晶振是一款小體積晶振尺寸13.3x4.85mm晶振，E1SJA18-20.000MTR兩腳貼片晶振，E1SDA12-25.000MTR...
Ecliptek日蝕晶振E1S,E1SJA18-25.000M TR貼片晶振
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Ecliptek日蝕晶振E1S,E1SJA18-25.000M TR貼片晶振,E1SJA18-6.000M TR,無源晶振，ECLIPTEK日蝕晶振，美國進口晶振，E1S系列晶振是一款小體積晶振尺寸13.3x4.85mm晶振，E1SJA18-20.000M TR兩腳貼片晶振，E1SDA12-25.000M TR石英晶振，無源晶振，E1SJA18-14.31818M TR石英晶體諧振器，MHz石英晶體，E1SEA18-12.000M TR無鉛環保晶振，被廣泛用于移動通訊設備，平板電腦，無線網絡晶振，藍牙模塊晶振，汽車電子晶振，醫療設備，數碼電子，物聯網等應用。
Ecliptek日蝕晶振E1S,E1SJA18-25.000M TR貼片晶振,E1SJA18-6.000M TR,無源晶振,參數圖
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日蝕晶振 |
單位 |
E1S晶振 |
石英晶振基本條件 |
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標準頻率 |
f_nom |
3.579545MHz to 50MHz |
標準頻率 |
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儲存溫度 |
T_stg |
-55℃~+125℃ |
裸存 |
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工作溫度 |
T_use |
-40℃~+85℃ |
標準（有關更多信息，請參見部件號指南選項） |
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激勵功率 |
DL |
200μW Max. |
推薦:1μW ～ 100μW |
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頻率公差 |
f_— l |
±150ppm |
+25°C 對于超出標準的規格說明,
請聯系我們以便獲取相關的信息,http://www.txccrystal.cn/
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頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ～+70°C |
超出標準的規格請聯系我們. |
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負載電容 |
CL |
8pF |
不同負載電容要求,請聯系我們. |
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串聯電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
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頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
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Ecliptek日蝕晶振E1S,E1SJA18-25.000M TR貼片晶振,E1SJA18-6.000M TR,無源晶振,尺寸圖
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Ecliptek日蝕晶振E1S,E1SJA18-25.000M TR貼片晶振,E1SJA18-6.000M TR,無源晶振
在使用晶振時應注意以下事項:
1：抗沖擊
抗沖擊是指晶振產品可能會在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到沖擊.如果產品已受過沖擊請勿使用.因為無論何種石英晶振,其內部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響.
2：輻射
將貼片晶振暴露于輻射環境會導致產品性能受到損害,因此應避免陽光長時間的照射.
3：化學制劑 / pH值環境
請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環境下使用或儲藏這些產品.
4：粘合劑
請勿使用可能導致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質量,降低性能.）
5：鹵化合物
請勿在鹵素氣體環境下使用晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內或封裝所用金屬部件內,都可能產生腐蝕.同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂. Ecliptek日蝕晶振E1S,E1SJA18-25.000M TR貼片晶振,E1SJA18-6.000M TR,無源晶振
6：靜電
過高的靜電可能會損壞貼片晶振,請注意抗靜電條件.請為容器和封裝材料選擇導電材料.在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作
| 制造商零件編號 | 供應商 | 系列 | 類型 | 頻率 | 頻率穩定性 |
| E1SJA18-7.3728M TR | Ecliptek | E1S | MHz 晶體 | 7.3728 MHz | ±30ppm |
| E1SCA18-8.000M TR | Ecliptek | E1S | MHz 晶體 | 8 MHz | ±100ppm |
| E1SFA18-25.000M TR | Ecliptek | E1S | MHz 晶體 | 25 MHz | ±50ppm |
| E1SJA18-4.000M TR | Ecliptek | E1S | MHz 晶體 | 4 MHz | ±30ppm |
| E1SJA18-25.000M TR | Ecliptek | E1S | MHz 晶體 | 25 MHz | ±30ppm |
| E1SEA18-8.000M TR | Ecliptek | E1S | MHz 晶體 | 8 MHz | ±50ppm |
| E1SDA12-25.000M TR | Ecliptek | E1S | MHz 晶體 | 25 MHz | ±50ppm |
| E1SFA12-3.6864M TR | Ecliptek | E1S | MHz 晶體 | 3.6864 MHz | ±50ppm |
| E1SJA18-6.000M TR | Ecliptek | E1S | MHz 晶體 | 6 MHz | ±30ppm |
| E1SJA18-18.432M TR | Ecliptek | E1S | MHz 晶體 | 18.432 MHz | ±30ppm |
| E1SFA18-4.000M TR | Ecliptek晶振 | E1S | MHz 晶體 | 4 MHz | ±50ppm |
| E1SJA18-14.31818M TR | Ecliptek | E1S | MHz 晶體 | 14.31818 MHz | ±30ppm |
| E1SJA18-6.144M TR | Ecliptek | E1S | MHz 晶體 | 6.144 MHz | ±30ppm |
| E1SJA18-28.63636M TR | Ecliptek | E1S | MHz 晶體 | 28.63636 MHz | ±30ppm |
| E1SJA18-13.000M TR | Ecliptek | E1S | MHz 晶體 | 13 MHz | ±30ppm |
| E1SJA18-19.6608M TR | Ecliptek | E1S | MHz 晶體 | 19.6608 MHz | ±30ppm |
| E1SJA18-9.8304M TR | Ecliptek | E1S | MHz 晶體 | 9.8304 MHz | ±30ppm |
| E1SJA18-18.000M TR | Ecliptek | E1S | MHz 晶體 | 18 MHz | ±30ppm |
| E1SJA18-20.000M TR | Ecliptek | E1S | MHz 晶體 | 20 MHz | ±30ppm |
| E1SJA18-14.7456M TR | Ecliptek | E1S | MHz 晶體 | 14.7456 MHz | ±30ppm |
| E1SCA18-7.3728M TR | Ecliptek | E1S | MHz 晶體 | 7.3728 MHz | ±100ppm |
| E1SEA18-16.000M TR | Ecliptek | E1S | MHz 晶體 | 16 MHz | ±50ppm |
| E1SEA18-12.000M TR | Ecliptek | E1S | MHz 晶體 | 12 MHz | ±50ppm |
| E1SJA18-10.000M TR | Ecliptek | E1S | MHz 晶體 | 10 MHz | ±30ppm |
| E1SJA18-12.000M TR | Ecliptek | E1S | MHz 晶體 | 12 MHz | ±30ppm |
| E1SJA18-11.0592M TR | Ecliptek | E1S | MHz 晶體 | 11.0592 MHz | ±30ppm |
| E1SJA18-8.000M TR | Ecliptek | E1S | MHz 晶體 | 8 MHz | ±30ppm |
| E1SJA18-16.000M TR | Ecliptek | E1S | MHz 晶體 | 16 MHz | ±30ppm |
| E1SJA18-3.579545M TR | Ecliptek | E1S | MHz 晶體 | 3.579545 MHz | ±30ppm |
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