晶振系列
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陶瓷霧化片 wuhuapian -
陶瓷晶振 taocijingzhen -
32.768K Clock crystal -
貼片晶振 SMDcrystal -
石英晶振 Quartz Crystal -
聲表面濾波器 Quartz Crystal -
聲表面諧振器 resonator -
陶瓷濾波器 taocilvboqi -
KDS晶振 KDS CRYSTAL -
精工晶振 SEIKO CRYSTAL -
村田晶振 muRata CRYSTAL -
西鐵城晶振 CITIZEN CRYSTAL -
愛普生晶振 EPSON CRYSTAL -
微孔霧化片 微孔霧化片 -
臺灣加高晶體 H.ELE -
進口京瓷晶體 KYOCERA -
日本NDK晶體 進口NDK晶體 -
日本大河晶體 RIVER -
美國CTS晶體 CTS石英晶體 -
臺灣希華晶體 臺灣希華 -
臺灣鴻星晶體 HOSONIC -
臺灣TXC晶體 TXC CRYSTAL -
臺灣泰藝晶體 TAITIEN CRYSTAL -
臺灣亞陶晶體 百利通亞陶 -
臺灣NSK晶體 NSK CRYSTAL -
瑪居禮晶振 臺灣瑪居禮晶振 -
富士晶振 日本富士貼片晶振 -
SHINSUNG晶振 韓國進口SHINSUNG晶振 -
SMI晶振 日本SMI貼片晶振 -
Lihom晶振 韓國Lihom晶振 -
NAKA晶振 日本納卡株式會社晶振 -
AKER晶振 臺灣安碁貼片晶振 -
NKG晶振 NKG石英晶振 -
NJR晶振 日本NJR晶振 -
Sunny晶振 Sunny CRYSTAL -
Statek晶振 Statek貼片晶體 -
Pletronics晶振 Pletronics CRYSTAL -
Jauch晶振 Jauch Crystal -
日蝕晶振 Ecliptek Crystal -
IDT晶振 IDT進口晶振 -
格林雷晶振 Greenray恒溫晶振 -
高利奇晶振 Golledge石英晶體振蕩器 -
維管晶振 Vectron Crystal -
拉隆晶振 Raltron CRYSTAL -
瑞康晶振 Rakon石英晶體 -
康納溫菲爾德晶振 ConnorWinfield Crystal -
ECS晶振 ECS CRYSTAL -
Abracon晶振 Abracon 石英振蕩器 -
CTS晶振 西迪斯晶振 -
SiTime晶振 SiTime可編碼振蕩器 -
微晶晶振 Microcrystal Crystal -
AEK晶振 AEK CRYSTAL -
AEL晶振 AEL CRYSTAL -
Cardinal晶振 Cardinal貼片晶體 -
Crystek晶振 Crystek石英晶振 -
Fox晶振 Fox有源晶振 -
Frequency晶振 Frequency Crystal -
GEYER晶振 GEYER CRYSTAL -
KVG晶振 KVG石英晶體 -
ILSI晶振 ILSI CRYSTAL -
Euroquartz晶振 Euroquartz crystal -
MMDCOMP晶振 MMDCOMP貼片晶振 -
MtronPTI晶振 MtronPTI晶體諧振器 -
QANTEK晶振 QANTEK石英晶振 -
QuartzCom晶振 QuartzCom石英晶體 -
Quarztechnik晶振 Quarztechnik Crystal -
Suntsu晶振 Suntsu石英貼片晶振 -
Transko晶振 Transko crystal -
Wi2Wi晶振 Wi2Wi Crystal -
Rubyquartz晶振 進口Rubyquartz CRYSTAL -
ACT晶振 ACT石英晶振 -
Oscilent晶振 Oscilent CRYSTAL -
ITTI晶振 ITTI石英晶體諧振器 -
MTI-milliren晶振 MTI Crystal -
PDI晶振 PDI CRYSTAL -
IQD晶振 IQD CRYSTAL -
Microchip晶振 Microchip crystal -
Silicon晶振 Silicon Crystal -
安德森晶振 Anderson Crystal -
富通晶振 Fortiming Crystal -
CORE晶振 CORE CRYSTAL -
NIPPON晶振 NIPPON石英晶體振蕩器 -
NIC晶振 NIC Crystal -
QVS晶振 QVS CRYSTAL -
Bomar晶振 Bomar Crystal -
Bliley晶振 Bliley Crystal -
GED晶振 GED CRYSTAL -
FILTRONETICS晶振 FILTRONETICS CRYSTAL -
Standard晶振 Standard Crystal -
Q-Tech晶振 美國Q-Tech晶振 -
Wenzel晶振 Wenzel Crystal -
NEL晶振 美國NEL晶振 -
EM晶振 EM CRYSTAL -
PETERMANN晶振 PETERMANN CRYSTAL -
FCD-Tech晶振 荷蘭晶振FCD-Tech -
HEC晶振 HEC CRYSTAL -
FMI晶振 FMI CRYSTAL -
麥克羅比特晶振 Macrobizes Crystal -
AXTAL晶振 AXTAL CRYSTAL -
ARGO晶振 ARGO晶振公司是專業提供和設計波段頻率控制設備和微波無線通信零部件.我們還分銷日本,歐洲和美國的一些知名品牌零部件.我們致力于發展與計算機,IT和無線通信公司無任何界限的信息時代.我們秉承經營者的踏實,誠懇的態度,互惠互利的精神,實現共贏的目標,以誠信為本,誠信為本,公平交易為宗旨,以誠信,勤勉,誠信,精神質量第一,客戶滿意的經營理念,將以優良的產品質量,優惠的價格,優質的服務與您建立長期穩定的合作關系,共創輝煌事業.
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SKYWORKS晶振
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Renesas瑞薩晶振
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貼片石英晶振 SMD CRYSTAL -
貼片陶瓷晶振 SMD 陶振 -
有源晶振 Oscillator -
石英晶體振蕩器 OSC石英晶體振蕩器
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壓控晶振 VCXO進口晶振
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壓控溫補晶振 VC-TCXO CRYSTAL
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恒溫晶振 OCXO有源晶振
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差分晶振 差分石英晶體振蕩器
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數碼產品
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醫療產品
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汽車產品
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移動產品
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智能家居
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網絡設備
- 規格型號：56137606
- 頻率：5.000MHZ~40.000MHZ
- 尺寸：7.0*5.0*1.9mm 詳細資料請查看PDF
- 產品描述：廣泛應用到一些比較高端的數碼通訊產品領域,GPS全球定位系統,智能手機,WiMAX和蜂窩和無線通信等產品.
泰藝晶振,TA晶振,7050晶振,貼片晶振
泰藝晶振,TA晶振,7050晶振,貼片晶振
參數:頻率范圍5.000MHZ-52.000MHZ
電源電壓:3.3V
負載電容: 15F
工作溫度: -40℃~+85℃
保存溫度: -55℃~+125℃
精度 ±2.0ppm
輸出方式：CMOS
尺寸：大尺寸重量輕7.0*5.0*1.9
應用：無線通訊，高端智能手機，平板筆記本WLAN，藍牙，數碼相機，DSL和其他IT產品。
泰藝電子，頻率控制方案的技術領導者，近日發布支持最高頻率250MHz的超低相位抖動OA系列產品。此進口晶體振蕩器小型化3.2×2.5mm標準SMD封裝可使系統廠商在系統設計上更小型化，成本更低，
藉由垂直整合掌握石英芯片之生產以及低相噪振蕩電路設計技術，新推出的OA系列進一步強化了泰藝電子石英晶體振蕩器的產品性能，并且提供客戶更多高質量的解決方案。
泰藝晶振,TA晶振,7050晶振,貼片晶振，是一款擁有7050mm大體積貼片型有源晶振，厚度僅比一枚一元硬幣厚出0.5mm之差，在溫補晶振中是最大的一款，由臺灣進口品牌泰藝生產，質地輕質量好，輸出方式為CMOS適合運用到不同的產品上，受到許多大陸生產廠的熱愛，TA晶振符合歐盟的ROHS規定，本身具有三態輸出功能。
| 泰藝晶振型號/輸出類型 | TA晶振,泰藝溫補晶振 |
| 晶振類型 | TCXO振蕩器 |
| 輸出方式 | CMOS |
| 振蕩模式 | 基本/第三泛音 |
| 電源電壓 | 3.3V |
| 頻率范圍 | 5.000MHZ-52.000MHZ |
| 頻率穩定度 | ±2.0ppm |
| 工作溫度 | -40~+-85℃ |
| 保存溫度 | -55~+125℃ |
| 電壓卷（最大值）/ VOH（最小值） | 0.1 VDD/0.9 VDD |
| 啟動時間 | 5 ms Max. |
| 相位抖動（12千赫?20兆赫） | 1個PS最大。 |
| 老化率 | ±3 ppm /年最大。 |
自動安裝時的沖擊
自動安裝和真空化引發的沖擊會破壞產品特性并影響這些進口晶振產品。請設置安裝條件以盡可能將沖擊降至最低，并確保在安裝前未對產品特性產生影響。條件改變時，請重新檢查安裝條件。同時，在安裝前后，請確保晶體產品未撞擊機器或其他電路板等。
耐焊性
加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產品特性或損害產品。如需在+150°C以上焊接晶體產品，建議使用SMD產品。在下列回流條件下，對晶體產品甚至SMD晶振產品使用更高溫度，會破壞產品特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些產品之前，應檢查焊接溫度和時間。同時，在安裝條件更改的情況下，請再次進行檢查。如果需要焊接的晶體產品在下列配置條件下進行焊接，請聯系我們以獲取耐熱的相關信息。
存儲事項
(1)在更高或更低溫度或高濕度環境下長時間保存晶體產品時，會影響頻率穩定性或焊接性。請在正常溫度和濕度環境下保存這些石英晶振產品，并在開封后盡可能進行安裝，以免長期儲藏。
正常溫度和濕度：
溫度：+15°C 至 +35°C，濕度 25 % RH 至 85 % RH（請參閱“測試點JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的標準條件”章節內容）。
(2)請仔細處理內外盒與卷帶。外部壓力會導致卷帶受到損壞。
1.驅動能力
驅動能力說明所需電功率，其計算公式如下：
驅動能力 (P) = i2.Re
其中i表示經過壓電石英晶體振蕩器單元的電流，
Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）2。
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2.振蕩補償
除非在溫補晶振振蕩電路中提供足夠的負極電阻，否則會增加啟動時間，或不發生振蕩。為避免該情況發生，請在電路設計時提供足夠的負極電阻.jpg)
3.負載電容
如果振蕩電路中負載電容的不同，可能導致這款的頻率與設計頻率之間產生偏差，如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。
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振蕩回路參數設置參考
深 圳 市 金 洛 電 子 有 限 公 司代理:EPSON,KDS,SEIKO,CITIZEN
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