KHz系列的晶體諧振器在市場(chǎng)的用量是非常巨大的,尤其是32.768KHz這個(gè)頻點(diǎn),200KHz以下的低頻晶體,因其相關(guān)的技術(shù)指標(biāo)和術(shù)語(yǔ)比較基礎(chǔ)簡(jiǎn)單,適合剛?cè)腴T的時(shí)候?qū)W習(xí).200KHz以下的晶體術(shù)語(yǔ),平時(shí)都接觸得比較多,每個(gè)參數(shù)代表著什么,相信大部分人都比較清楚,所以今天金洛鑫電子給大家整理了一些,不一樣的KHz晶體資料,主要是晶體的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)與一般規(guī)則,以下內(nèi)容不針對(duì)任何一家晶體制造商,均為通用性標(biāo)準(zhǔn).
術(shù)語(yǔ)和一般信息:
術(shù)語(yǔ)單位,圖形符號(hào),字母符號(hào)和術(shù)語(yǔ)符合IEC60122-1.但是,不應(yīng)用激勵(lì)水平依賴性.晶振頻率容差是與標(biāo)稱頻率的差值,以百萬(wàn)分率(×10-6)表示.建議盡可能從以下部分中選擇推薦的額定值和特征值,適合環(huán)境工作條件的溫度范圍(°C).

－55～+125	－30～+80	－10～+60
－55～+105	－30～+70	－10～+50
－55～+100	－25～+80	0～+60
－55～+90	－20～+85	0～+50
－40～+90	－20～+80	+5～+55
－40～+85	－20～+70	+10～+40
－40～+80	－20～+60	+15～+50
－40～+70	－10～+70

高溫范圍(℃)適用于溫度室控制
頻率容差(×10-6)±200,±100,±75,±50,±20
激勵(lì)等級(jí)1W
耐熱等級(jí)55/105/56對(duì)于諧振器單元的工作溫度范圍寬于-55°C至+105°C的要求,指定了與工作溫度范圍對(duì)應(yīng)的耐熱性類別.振動(dòng)幅度從0.75mm(峰值)到10Hz到55Hz,從55Hz到500Hz,或從55Hz到2000Hz,加速度幅度為100m/s2(峰值),1個(gè)倍頻程/分鐘然后,對(duì)于彼此垂直的三個(gè)軸的方向上的每個(gè)軸施加振動(dòng)30分鐘.(參見JISC60068-2-6)
-10Hz至55Hz幅度1.5mm(峰值)55Hz至500Hz加速度幅度200m/s2(峰值)1個(gè)倍頻程/min,相對(duì)于三個(gè)正交軸每軸30個(gè)軸振動(dòng)幾分鐘.(參見JISC60068-2-6)-隨機(jī)振動(dòng)嚴(yán)重程度:所考慮的沖擊嚴(yán)重程度除個(gè)別規(guī)格另有規(guī)定外,峰值加速度為1000m/s2且工作時(shí)間為6ms的正弦半波相互正交.在每個(gè)正軸和負(fù)軸上添加三次(參見JISC60068-2-27).
除非另有規(guī)定,否則在三個(gè)相互垂直的軸的正負(fù)方向上施加峰值加速度為400m/s2且作用時(shí)間為6ms的沖擊4000次±10次(JISC60068-2-27)參考).泄漏率10-9Pa·m3/s(10-3Pa·cm3/s,10-8mbar·l/s).從以下項(xiàng)目中選擇要顯示的內(nèi)容.每個(gè)項(xiàng)目的相對(duì)重要性按描述順序排列.
a)以千赫茲(kHz)為單位的標(biāo)稱頻率
b)制造年份和周數(shù)(4個(gè)字符)
c)工廠識(shí)別代碼
d)制造商名稱或商標(biāo)
e)符合性標(biāo)記(未使用合格證書時(shí))
f)制造國(guó)或縮寫
注1:為晶體單元指定上述a),b)和c),并為剩余的必要項(xiàng)目指定盡可能多的項(xiàng)目.還建議避免在石英水晶振子單元的顯示器中重復(fù)內(nèi)容.
注:2如果有效表面積的顯示量實(shí)際上有限,則應(yīng)在各個(gè)規(guī)格中規(guī)定適用的顯示.
注3:對(duì)于晶體單元的直接包裝,應(yīng)清楚標(biāo)明a)至f)所有項(xiàng)目的內(nèi)容.
注4:確保任何顯示添加都不會(huì)引起混淆.
質(zhì)量認(rèn)證程序:
晶體單元已通過(guò)IEC60122-1認(rèn)證.
測(cè)試和測(cè)量程序:
石英晶振測(cè)試和測(cè)量程序應(yīng)符合IEC60122-1.但是,不應(yīng)用激勵(lì)水平依賴性.推薦的測(cè)量方法在IEC60689中規(guī)定.可以使用任何其他測(cè)量方法,只要它與推薦方法獲得的結(jié)果相關(guān).測(cè)量負(fù)載諧振頻率和負(fù)載諧振電阻的方法符合IEC60689.可以使用任何其他測(cè)量方法,只要與通過(guò)該方法獲得的結(jié)果存在相關(guān)性即可.
頻率可變范圍:
指定的兩種負(fù)載容量的諧振頻率之間的差異是使用IEC60689中規(guī)定的程序確定的,或者是提供所需可比頻率精度的替代方法.
運(yùn)行參數(shù):
測(cè)量操作參數(shù)的測(cè)試方法符合IEC60689.
絕緣電阻:
除非另有說(shuō)明,否則在DC100V±15V下測(cè)量絕緣電阻60秒,或者如果數(shù)值讀數(shù)穩(wěn)定,則測(cè)量時(shí)間小于此值.
-外殼和絕緣端子之間
-一組絕緣端子與外殼金屬部分之間的絕緣電阻值不得小于500MΩ.注意執(zhí)行此測(cè)試時(shí),請(qǐng)確保先前測(cè)試中容器中沒有水分殘留.
機(jī)械和環(huán)境測(cè)試程序符合IEC60122-1:
作為晶體單元的一般規(guī)則有一個(gè)國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)(IEC60122-1),并且在不改變內(nèi)容的情況下翻譯了JIS標(biāo)準(zhǔn)(JISC6701).日本石英器件行業(yè)協(xié)會(huì)技術(shù)委員會(huì)審查了制定行業(yè)標(biāo)準(zhǔn),該標(biāo)準(zhǔn)將指導(dǎo)200kHz及以下進(jìn)口晶振規(guī)格的制定.制定了一般規(guī)則.
修訂的目的:
根據(jù)本一般規(guī)則中引用的標(biāo)準(zhǔn)的建立,修訂和廢除,對(duì)內(nèi)容進(jìn)行了一致性和修訂.此外,它被修訂為與2013年技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)表格準(zhǔn)備指南(QIAJ-A-001)一致.
主要修訂:
(A)為了與引用標(biāo)準(zhǔn)的最新版本保持一致,我們更改,添加和刪除了引用的標(biāo)準(zhǔn)編號(hào)和名稱.
(B)增加頻率為200kHz或更低的時(shí)鐘晶體單元的特性標(biāo)準(zhǔn)值,例如負(fù)載容量規(guī)格.
(C)基于形式和外觀的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)表格制作指南(QIAJ-A-001),更改,添加,刪除等.
補(bǔ)充項(xiàng)目:
(A)耐熱性類別符號(hào)55/105/56基于JISC60068-1環(huán)境試驗(yàn)方法-通用電氣和電子法.
(B)適用于恒溫室控制的高溫范圍(°C)和沖擊的嚴(yán)重程度-隨機(jī)振動(dòng)的嚴(yán)重程度是”正在研究中”,但這個(gè)表達(dá)式是引用的標(biāo)準(zhǔn)符合JISC6701(IEC60122-1).

正在載入評(píng)論數(shù)據(jù)...

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200KHz以下低頻晶體諧振器的一般規(guī)則

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