在測(cè)量SiT15xx系列KHz振蕩器的頻率時(shí),選擇合適的測(cè)量工具是確保測(cè)量準(zhǔn)確性的第一步.就好比廚師做飯需要鋒利的刀具,木匠干活需要精準(zhǔn)的量具一樣,我們?cè)谶M(jìn)行頻率測(cè)量時(shí),也需要專業(yè),精準(zhǔn)的工具.對(duì)于測(cè)量電源電流,由于SiT15xx在室溫下的工作電源電流(空載)范圍為850nA至1.3μA,這個(gè)電流非常小,屬于nA電平范圍.所以,我們必須使用高分辨率數(shù)字電流表,例如Agilent34401A.這款數(shù)字電流表具有高達(dá)61/2位的分辨率,能夠揭示其他數(shù)字萬用表遺漏的細(xì)節(jié),可實(shí)現(xiàn)微安至安培級(jí)別的電流測(cè)量,測(cè)量精度極高,能夠滿足對(duì)SiT15xx系列振蕩器電源電流測(cè)量的嚴(yán)苛要求.而典型的便攜式數(shù)字萬用表(DMM)則無法準(zhǔn)確測(cè)量nA電平范圍內(nèi)的電流.普通萬用表的分辨率和精度相對(duì)較低,在測(cè)量如此微小的電流時(shí),就如同用一把大錘子去砸一顆小釘子,不僅無法準(zhǔn)確完成任務(wù),還可能因?yàn)闇y(cè)量誤差過大而得出錯(cuò)誤的結(jié)論,導(dǎo)致我們對(duì)振蕩器的性能判斷失誤.所以,為了得到可靠的測(cè)量結(jié)果,一定要摒棄普通萬用表,選擇專業(yè)的高分辨率數(shù)字電流表.

測(cè)量前的電路準(zhǔn)備

在連接測(cè)量?jī)x器晶振電路時(shí),一定要打起十二分精神,確保每一個(gè)連接點(diǎn)都準(zhǔn)確無誤,電路連接穩(wěn)定可靠.電路就像是人體的血管,而各個(gè)連接點(diǎn)則是血管的連接處,如果連接出現(xiàn)問題,就如同血管堵塞或者破裂一樣,會(huì)嚴(yán)重影響整個(gè)系統(tǒng)的運(yùn)行.我們要仔細(xì)檢查每一根導(dǎo)線是否連接緊密,是否存在松動(dòng),虛接的情況.哪怕是極其細(xì)微的接觸不良,都可能導(dǎo)致測(cè)量結(jié)果出現(xiàn)偏差,就像一顆小石子可能會(huì)絆倒巨人一樣.我們可以用手輕輕晃動(dòng)各個(gè)連接部件,觀察是否有松動(dòng)的跡象.同時(shí),借助放大鏡等工具,仔細(xì)查看焊接點(diǎn)是否飽滿,光滑,有無裂縫或者虛焊的地方.如果發(fā)現(xiàn)問題,要及時(shí)重新連接或者焊接,確保電路的暢通無阻.此外,還要注意電路中各個(gè)元件的布局是否合理,避免相互之間產(chǎn)生干擾.比如,將高頻元件和低頻元件分開布局,防止高頻信號(hào)對(duì)低頻信號(hào)造成干擾.只有在測(cè)量前做好充分的電路準(zhǔn)備工作,才能為后續(xù)準(zhǔn)確測(cè)量頻率奠定堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ).

波形測(cè)量的門道

SiT15xx輸出驅(qū)動(dòng)器針對(duì)要求低功耗晶振的應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化,在測(cè)量設(shè)備內(nèi)部終端電阻為50Ω時(shí),并不適用于驅(qū)動(dòng).這就好比一輛小型節(jié)能汽車,它的發(fā)動(dòng)機(jī)功率較小,無法拖動(dòng)一個(gè)過重的負(fù)載.如果強(qiáng)行讓SiT15xx驅(qū)動(dòng)50Ω的終端電阻,就像讓這輛小型汽車去拉一個(gè)大型集裝箱,不僅無法正常運(yùn)行,還可能對(duì)設(shè)備造成損壞.那么,如何在不受負(fù)載影響的情況下測(cè)量原始波形呢SiTime為我們提供了兩種有效的方法.第一種方法是通過具有高輸入阻抗的單位增益放大器,如ADA4817-1來測(cè)量輸出波形.單位增益放大器就像是一個(gè)信號(hào)的忠實(shí)搬運(yùn)工,它不會(huì)對(duì)信號(hào)進(jìn)行放大或縮小,只是將信號(hào)從一個(gè)地方搬運(yùn)到另一個(gè)地方,同時(shí)保持信號(hào)的完整性.高輸入阻抗則可以確保放大器對(duì)原始信號(hào)的影響最小化,就像一個(gè)輕柔的搬運(yùn)工,不會(huì)在搬運(yùn)過程中對(duì)貨物造成任何損壞.通過這種方式,我們可以準(zhǔn)確地測(cè)量到SiT15xx振蕩器的輸出波形.第二種方法是使用高阻抗無源探頭(>1MΩ并聯(lián)<2pF),例如TektronixP5050.高阻抗無源探頭能夠有效地減少對(duì)被測(cè)信號(hào)的負(fù)載效應(yīng),就像一個(gè)輕盈的觸摸者,輕輕觸碰信號(hào),卻不會(huì)對(duì)信號(hào)的形態(tài)產(chǎn)生太大的干擾.這樣,我們就可以獲取到接近原始狀態(tài)的輸出波形.

頻率測(cè)量的關(guān)鍵要點(diǎn)頻率計(jì)數(shù)器特性影響

在測(cè)量SiT15xx系列KHz振蕩器的頻率時(shí),頻率計(jì)數(shù)器的特性對(duì)測(cè)量精度有著至關(guān)重要的影響.頻率或時(shí)間間隔測(cè)量設(shè)備有兩個(gè)特性可能會(huì)對(duì)頻率精度產(chǎn)生不利影響,分別是長(zhǎng)期頻率穩(wěn)定性(ppb)和時(shí)間戳錯(cuò)誤.時(shí)間軸的準(zhǔn)確度是由于時(shí)間標(biāo)記開始和停止處的信號(hào)邊沿的不準(zhǔn)確性導(dǎo)致的時(shí)間間隔的誤差.這個(gè)誤差在輸入信號(hào)的寬頻率范圍內(nèi)是恒定的,但是隨著Gatetime變短而增加.從下面的圖表(假設(shè)圖表為頻率測(cè)量誤差(ppb)與Gatetime的關(guān)系圖,展示兩個(gè)不同時(shí)間間隔測(cè)量精度的頻率計(jì)數(shù)器的誤差變化)中可以清晰地看出,當(dāng)Gatetime逐漸減小時(shí),頻率測(cè)量誤差迅速增大.這就好比用一把尺子去測(cè)量物體長(zhǎng)度,如果尺子本身的刻度不準(zhǔn)確(長(zhǎng)期頻率穩(wěn)定性差),或者在測(cè)量時(shí)讀取刻度的位置有偏差(時(shí)間戳錯(cuò)誤),那么得到的測(cè)量結(jié)果必然是不準(zhǔn)確的.因此,在選擇頻率計(jì)數(shù)器時(shí),要盡量選擇長(zhǎng)期頻率穩(wěn)定性高,時(shí)間戳錯(cuò)誤小的設(shè)備,以確保測(cè)量精度.振蕩器長(zhǎng)期抖動(dòng)影響一些小功率的32kHz振蕩器,如SiT15xx,具有較高的長(zhǎng)期抖動(dòng)(LTJ).長(zhǎng)期抖動(dòng)是指在多個(gè)連續(xù)周期后時(shí)鐘信號(hào)邊沿與理想位置的變化,它代表的是抖動(dòng)在長(zhǎng)時(shí)間間隔期間連續(xù)時(shí)鐘周期流上的抖動(dòng)累積效應(yīng),所以有時(shí)也被稱為累積抖動(dòng).從前面提到的頻率相對(duì)誤差公式可以看出,長(zhǎng)期抖動(dòng)會(huì)增加時(shí)間間隔的時(shí)間戳誤差,進(jìn)而對(duì)測(cè)量精度產(chǎn)生不利影響.不過,如果Gatetime大于100ms,則長(zhǎng)期抖動(dòng)的影響會(huì)被平均,對(duì)測(cè)量誤差的影響也就最小.這就好像我們?cè)诮y(tǒng)計(jì)一個(gè)班級(jí)學(xué)生的成績(jī)時(shí),如果只統(tǒng)計(jì)少數(shù)幾個(gè)學(xué)生的成績(jī),可能會(huì)因?yàn)閭€(gè)別學(xué)生成績(jī)的極端情況而導(dǎo)致統(tǒng)計(jì)結(jié)果偏差較大;但如果統(tǒng)計(jì)全班學(xué)生的成績(jī),那么個(gè)別學(xué)生的極端成績(jī)對(duì)整體統(tǒng)計(jì)結(jié)果的影響就會(huì)被平均化,統(tǒng)計(jì)結(jié)果也就更能反映班級(jí)的真實(shí)水平.為了減輕長(zhǎng)期抖動(dòng)的影響,可以選擇能夠在門控時(shí)間內(nèi)對(duì)一些信號(hào)邊沿進(jìn)行額外時(shí)間間隔測(cè)量的頻率計(jì)數(shù)器,例如Agilent5313x或5323x頻率計(jì)數(shù)器.通過使用這一類計(jì)數(shù)器,可以更準(zhǔn)確地測(cè)量SiT15xx頻率,尤其是當(dāng)Gatetime為100ms或更長(zhǎng)時(shí).

頻率計(jì)數(shù)器設(shè)置要點(diǎn)為了準(zhǔn)確地測(cè)量頻率,頻率計(jì)數(shù)器需要接收振蕩器的原始時(shí)鐘信號(hào),并且不能對(duì)信號(hào)的幅度和相位進(jìn)行失真.即使使用銣原子鐘的時(shí)基或GPS定位器專用晶振同步的高精度/高分辨率頻率計(jì)數(shù)器,如果設(shè)置不正確,也會(huì)對(duì)測(cè)量操作產(chǎn)生不利影響.下面我們來詳細(xì)了解一下頻率計(jì)數(shù)器在輸入通道頻率響應(yīng),輸入通道阻抗,輸入觸發(fā)靈敏度等方面的正確設(shè)置方法.在輸入通道頻率響應(yīng)方面,交流耦合會(huì)衰減低頻分量,這對(duì)于測(cè)量SiT15xx系列振蕩器這樣的低頻信號(hào)是不利的.所以,我們應(yīng)使用直流耦合作為對(duì)策,以確保低頻信號(hào)能夠完整地被頻率計(jì)數(shù)器接收,就像讓水流毫無阻礙地通過管道一樣.輸入通道阻抗也不容忽視.當(dāng)負(fù)載低于50Ω時(shí),SiT15xx會(huì)衰減很多.此時(shí),我們應(yīng)使用1MΩ的終端電阻作為對(duì)策,以避免信號(hào)在傳輸過程中因?yàn)樽杩共黄ヅ涠a(chǎn)生衰減,保證信號(hào)能夠穩(wěn)定地傳輸?shù)筋l率計(jì)數(shù)器中.輸入觸發(fā)靈敏度同樣關(guān)鍵.當(dāng)SiT15xx器件的轉(zhuǎn)換速率降低時(shí),可能會(huì)引起寄生觸發(fā),這會(huì)導(dǎo)致頻率計(jì)數(shù)器誤判信號(hào)的頻率.為了避免這種情況,我們可以關(guān)閉自動(dòng)觸發(fā)器,并降低觸發(fā)靈敏度.關(guān)閉自動(dòng)觸發(fā)器就像是給一個(gè)容易誤判的裁判戴上了"緊箍咒",讓它不會(huì)輕易做出錯(cuò)誤的判斷;降低觸發(fā)靈敏度則是讓頻率計(jì)數(shù)器對(duì)信號(hào)的變化更加"謹(jǐn)慎",只有在信號(hào)變化達(dá)到一定程度時(shí)才進(jìn)行觸發(fā),從而減少寄生觸發(fā)的可能性.

測(cè)量中的環(huán)境因素考量

在測(cè)量SiT15xx系列KHz振蕩器的頻率時(shí),環(huán)境因素就像是隱藏在暗處的"搗蛋鬼",稍有不慎,就會(huì)對(duì)測(cè)量結(jié)果產(chǎn)生意想不到的影響.溫度對(duì)晶振頻率的影響尤為顯著.晶振中的石英晶體對(duì)溫度變化非常敏感,當(dāng)環(huán)境溫度發(fā)生波動(dòng)時(shí),石英晶體的彈性模量,密度以及尺寸會(huì)隨之發(fā)生微妙變化,這些物理特性的改變直接牽動(dòng)著振蕩頻率,使其偏離標(biāo)稱值.從原理上來說,普通石英晶振的溫度漂移較為明顯,其頻率隨溫度變化的曲線通常呈現(xiàn)拋物線形狀.在常溫附近,頻率變化相對(duì)較小,但當(dāng)溫度偏離常溫范圍較大時(shí),頻偏會(huì)顯著增加.例如,在一些工業(yè)控制設(shè)備中,由于工作環(huán)境溫度變化較大,如果在測(cè)量SiT15xx系列振蕩器頻率時(shí)不考慮溫度因素,很可能會(huì)得到錯(cuò)誤的測(cè)量結(jié)果.為了減小溫度漂移的影響,我們?cè)跍y(cè)量時(shí)應(yīng)盡量選擇溫度穩(wěn)定的環(huán)境,或者采取恒溫措施,確保晶振工作在適宜的溫度范圍內(nèi).濕度也是一個(gè)不可忽視的因素.濕度變化可能導(dǎo)致晶振頻率發(fā)生微小的變化,因?yàn)樗肿釉诰д竦恼袷幤骷砻嫖交蚺懦?這可能引起晶振頻率的微小變動(dòng).同時(shí),濕度使晶體外圍電路雜散電容增加,增大誤差,還可能降低晶振的穩(wěn)定性,加速晶振元件的老化.所以,在測(cè)量時(shí)要確保環(huán)境濕度在合理范圍內(nèi),對(duì)于一些對(duì)濕度要求較高的測(cè)量場(chǎng)景,可以使用防潮箱等設(shè)備來控制濕度.電磁干擾同樣會(huì)對(duì)測(cè)量結(jié)果造成干擾.當(dāng)晶振處于外部電磁場(chǎng)中時(shí),電磁場(chǎng)會(huì)在晶振的導(dǎo)線上感應(yīng)出電流,進(jìn)而引起晶振頻率發(fā)生偏移.電磁輻射也可能直接作用于晶體,導(dǎo)致晶體的參數(shù)發(fā)生變化,從而影響晶振的頻率穩(wěn)定性.在實(shí)際測(cè)量中,我們經(jīng)常會(huì)發(fā)現(xiàn),當(dāng)測(cè)量設(shè)備附近有大型電機(jī),變壓器等強(qiáng)電磁源時(shí),測(cè)量結(jié)果會(huì)出現(xiàn)異常波動(dòng).為了避免電磁干擾,我們可以選擇抗干擾性能較好的晶振,在晶振周圍添加金屬屏蔽罩,或者在晶振輸入端和輸出端加入濾波器,以減少電磁干擾對(duì)晶振性能的影響.

測(cè)量數(shù)據(jù)處理與分析

完成頻率測(cè)量后,數(shù)據(jù)處理與分析就像是一場(chǎng)嚴(yán)謹(jǐn)?shù)目茖W(xué)探索,需要我們步步為營(yíng),確保測(cè)量結(jié)果的可靠性.多次測(cè)量取平均值是減小誤差的重要方法.就像我們?cè)谂腼儠r(shí),為了確保菜肴的口味穩(wěn)定,會(huì)多次嘗試調(diào)整調(diào)料的用量.在測(cè)量頻率時(shí),由于受到各種因素的影響,每次測(cè)量的結(jié)果可能會(huì)存在一定的波動(dòng).比如,測(cè)量環(huán)境中微小的溫度變化,電源電壓的瞬間波動(dòng),甚至測(cè)量設(shè)備本身的噪聲干擾,都可能導(dǎo)致測(cè)量結(jié)果出現(xiàn)偏差.通過多次測(cè)量取平均值,可以有效地減小這些隨機(jī)誤差的影響.一般來說,測(cè)量次數(shù)越多,平均值就越接近真實(shí)值.在實(shí)際操作中,我們可以根據(jù)具體情況,選擇測(cè)量5次,10次甚至更多次,然后計(jì)算它們的平均值.在數(shù)據(jù)處理過程中,我們要仔細(xì)甄別并剔除異常值.異常值就像是羊群中的"害群之馬",會(huì)嚴(yán)重影響測(cè)量結(jié)果的準(zhǔn)確性.它們可能是由于測(cè)量過程中的突發(fā)干擾,測(cè)量設(shè)備的短暫故障或者人為操作失誤等原因?qū)е碌?比如,在某次測(cè)量時(shí),可能因?yàn)椴恍⌒呐龅搅藴y(cè)量電路,導(dǎo)致測(cè)量結(jié)果出現(xiàn)了明顯的偏差,這個(gè)偏差很大的值就是異常值.我們可以通過觀察數(shù)據(jù)的分布情況,利用統(tǒng)計(jì)學(xué)方法,如格拉布斯準(zhǔn)則等來判斷哪些數(shù)據(jù)是異常值,并將其從數(shù)據(jù)集中剔除.分析測(cè)量結(jié)果偏差的原因也是至關(guān)重要的一步.我們可以從測(cè)量設(shè)備,測(cè)量環(huán)境,被測(cè)晶振本身以及測(cè)量方法等多個(gè)方面入手.如果測(cè)量設(shè)備的精度不夠,或者存在校準(zhǔn)誤差,那么測(cè)量結(jié)果必然會(huì)出現(xiàn)偏差;測(cè)量環(huán)境中的溫度,濕度,電磁干擾等因素也可能對(duì)測(cè)量結(jié)果產(chǎn)生影響;被測(cè)晶振本身如果存在質(zhì)量問題,如晶體老化,內(nèi)部電路故障等,也會(huì)導(dǎo)致頻率偏差;測(cè)量方法如果不正確,比如連接電路錯(cuò)誤,頻率計(jì)數(shù)器設(shè)置不當(dāng)?shù)?同樣會(huì)得到錯(cuò)誤的測(cè)量結(jié)果.只有深入分析這些可能的原因,我們才能找到問題的根源,采取相應(yīng)的措施加以解決,從而提高頻率測(cè)量的準(zhǔn)確性.

SiT15xx系列晶振頻率測(cè)量那些不可忽視的細(xì)節(jié)

NI-10M-3510	Taitien	NI-10M-3500	OCXO	10 MHz	CMOS	5V	±0.2ppb
NI-10M-3560	Taitien	NI-10M-3500	OCXO	10 MHz	CMOS	5V	±0.1ppb
OXETECJANF-40.000000	Taitien	OX	XO	40 MHz	CMOS	2.8V ~ 3.3V	±30ppm
OXETGCJANF-25.000000	Taitien	OX	XO	25 MHz	CMOS	2.8V ~ 3.3V	±50ppm
OXETGLJANF-24.576000	Taitien	OX	XO	24.576 MHz	CMOS	2.8V ~ 3.3V	±50ppm
OXETHEJANF-12.000000	Taitien	OX	XO	12 MHz	CMOS	2.8V ~ 3.3V	±100ppm
OXETGCJANF-36.000000	Taitien	OX	XO	36 MHz	CMOS	2.8V ~ 3.3V	±50ppm
OXETGLJANF-40.000000	Taitien	OX	XO	40 MHz	CMOS	2.8V ~ 3.3V	±50ppm
OXETGCJANF-16.000000	Taitien	OX	XO	16 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
OXETGCJANF-24.576000	Taitien	OX	XO	24.576 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
OXETGCJANF-27.000000	Taitien	OX	XO	27 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
OXETGLJANF-16.000000	Taitien	OX	XO	16 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
OXKTGLJANF-19.200000	Taitien	OX	XO	19.2 MHz	CMOS	1.8V	±50ppm
OXKTGLJANF-26.000000	Taitien	OX	XO	26 MHz	CMOS	1.8V	±50ppm
OXETGCJANF-50.000000	Taitien	OX	XO	50 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
OXETGCJANF-54.000000	Taitien	OX	XO	54 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
OXETGLJANF-27.000000	Taitien	OX	XO	27 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
OXKTGLKANF-26.000000	Taitien	OX	XO	26 MHz	CMOS	1.8V	±50ppm
OCETDCJTNF-66.000000MHZ	Taitien	OC	XO	66 MHz	CMOS	2.8V ~ 3.3V	±25ppm
OXETECJANF-27.000000	Taitien	OX	XO	27 MHz	CMOS	2.8V ~ 3.3V	±30ppm
OXETGJJANF-7.680000	Taitien	OX	XO	7.68 MHz	CMOS	2.8V ~ 3.3V	±50ppm
OYETCCJANF-12.288000	Taitien	OY	XO	12.288 MHz	CMOS	2.8V ~ 3.3V	±20ppm
OXETGLJANF-38.880000	Taitien	OX	XO	38.88 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
OCETDCKANF-12.800000	Taitien	OC	XO	12.8 MHz	CMOS	3.3V	±25ppm
OCETECJANF-25.000000	Taitien	OC	XO	25 MHz	CMOS	3.3V	±30ppm
OCETCCJANF-12.000000	Taitien	OC	XO	12 MHz	CMOS	3.3V	±20ppm
OCETCCJANF-25.000000	Taitien	OC	XO	25 MHz	CMOS	3.3V	±20ppm
OCETDCKTNF-50.000000	Taitien	OC	XO	50 MHz	CMOS	3.3V	±25ppm
OCETDLJANF-2.048000	Taitien	OC	XO	2.048 MHz	CMOS	3.3V	±25ppm
OCETELJANF-8.000000	Taitien	OC	XO	8 MHz	CMOS	3.3V	±30ppm
OCETGCJANF-12.000000	Taitien	OC	XO	12 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
OCETGCJANF-24.576000	Taitien	OC	XO	24.576 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
OCETGCJANF-4.000000	Taitien	OC	XO	4 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
OCETGCJTNF-100.000000	Taitien	OC	XO	100 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
OCETGLJTNF-50.000000	Taitien	OC	XO	50 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
OCETGLKANF-20.000000	Taitien	OC	XO	20 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
OCETGLKANF-25.000000	Taitien	OC	XO	25 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
OCETHCJTNF-100.000000	Taitien	OC	XO	100 MHz	CMOS	1.8V	±100ppm
OCKTGLJANF-20.000000	Taitien	OC	XO	20 MHz	CMOS	1.8V	±50ppm
OCKTGLJANF-30.000000	Taitien	OC	XO	30 MHz	CMOS	1.8V	±50ppm
OCKTGLJANF-12.000000	Taitien	OC	XO	12 MHz	CMOS	1.8V	±50ppm
OCKTGLJANF-31.250000	Taitien	OC	XO	31.25 MHz	CMOS	1.8V	±50ppm
OCETDCJANF-12.000000	Taitien	OC	XO	12 MHz	CMOS	3.3V	±25ppm
OCETDCJTNF-50.000000	Taitien	OC	XO	50 MHz	CMOS	3.3V	±25ppm
OCETGCJANF-33.333000	Taitien	OC	XO	33.333 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
OCETGLJTNF-66.667000	Taitien	OC	XO	66.667 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
OCETGLJANF-27.000000	Taitien	OC	XO	27 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
OCETGLJANF-33.333000	Taitien	OC	XO	33.333 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
OCETGLJTNF-66.000000	Taitien	OC	XO	66 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
OCETGLJTNF-80.000000	Taitien	OC	XO	80 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
OCJTDCJANF-25.000000	Taitien	OC	XO	25 MHz	CMOS	2.5V	±25ppm
OCKTGLJANF-24.000000	Taitien	OC	XO	24 MHz	CMOS	1.8V	±50ppm
OXETGLJANF-12.000000	Taitien	OX	XO	12 MHz	CMOS	2.8V ~ 3.3V	±50ppm
OXETDLJANF-8.704000	Taitien	OX	XO	8.704 MHz	CMOS	2.8V ~ 3.3V	±25ppm
OXKTGCJANF-37.125000	Taitien	OX	XO	37.125 MHz	CMOS	1.8V	±50ppm
OXETCLJANF-26.000000	Taitien	OX	XO	26 MHz	CMOS	2.8V ~ 3.3V	±20ppm
OXETDLJANF-25.000000	Taitien	OX	XO	25 MHz	CMOS	2.8V ~ 3.3V	±25ppm
OXETGLJANF-48.000000	Taitien	OX	XO	48 MHz	CMOS	2.8V ~ 3.3V	±50ppm
OXJTDLJANF-25.000000	Taitien	OX	XO	25 MHz	CMOS	2.5V	±25ppm
OXJTGLJANF-25.000000	Taitien	OX	XO	25 MHz	CMOS	2.5V	±50ppm

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