LVDS振蕩器的處理和測(cè)試
來源：http://www.benpai.com.cn 作者：金洛鑫電子 2019年01月14
AXTAL Crystal公司是德國(guó)的一家專注于石英水晶組件研發(fā)生產(chǎn)的企業(yè)，主要生產(chǎn)OCXO晶振，TCXO晶振，GHZ振蕩器，PLL振蕩器，太空水晶振蕩器，門控晶體振蕩器等頻率元件，差分LVDS振蕩器是其中一種，而且是AXTAL目前重點(diǎn)發(fā)展的模塊。以下是AXTAL晶振公司給出的，關(guān)于LVDS差分晶振的一些測(cè)試項(xiàng)目和處理資料。
1.ESD（靜電敏感器件）處理
晶體振蕩器是靜電敏感器件。直接接觸終端必須避免用手指。根據(jù)既定的ESD進(jìn)行適當(dāng)?shù)奶幚肀仨氉袷豂EC61340-5-1和EN100015-1中的處理規(guī)則由于內(nèi)部電路的損壞導(dǎo)致振蕩器性能下降通過靜電。如果沒有另行說明，我們的振蕩器符合要求符合IEC61000-4-2的人體模型（HBM）
2.處理
處理過程中機(jī)械沖擊過大以及手動(dòng)和自動(dòng)必須避免組裝。如果振蕩器無意中掉落或否則受到強(qiáng)烈沖擊，應(yīng)驗(yàn)證電氣功能仍在規(guī)范范圍內(nèi)。
3.電源
為了避免不受控制的電位，差分晶體振蕩器應(yīng)該在之后才能上電所有終端都正確連接。“熱插件”已經(jīng)進(jìn)入了一個(gè)夾具必須避免連接供電。極性錯(cuò)誤或電源電壓過高都可能導(dǎo)致永久性損壞振蕩器。
強(qiáng)烈建議添加一個(gè)或兩個(gè)最短的阻塞電容直流電源輸入（VCC）端子和地（GND）之間可能的接線振蕩器的終端。典型值為10nF（X7R）和100pF（C0G）。一個(gè)μF范圍內(nèi)的額外大容量電容可插入電路板上的任何位置。良好的工程實(shí)踐是使用地面和電源電壓平面（多層）印刷電路板。如果振蕩器輸出信號(hào)的低相位噪聲是一個(gè)問題，必須特別小心選擇低噪聲，低雜散電源。以供參考測(cè)量強(qiáng)烈建議使用電池進(jìn)行操作。
4.射頻輸出
RF輸出必須按指定的負(fù)載終止，如下所示。一個(gè)。正弦波輸出，Ω終端Ω終端應(yīng)直接連接在RF輸出端終端或50Ω同軸電纜的末端。如果有多個(gè)連接（例如示波器或功率計(jì)和頻率如果需要，應(yīng)使用50power的功率分配器或耦合器。為了準(zhǔn)確測(cè)量幅度，必須確保輸入測(cè)試儀器的阻抗精確為Ω，VSWR在內(nèi)指定的限制。對(duì)于某些示波器而言，情況并非如此頻率計(jì)數(shù)器。在這種情況下，應(yīng)插入10dB衰減器儀器輸入。
單方波（邏輯）輸出一世。TTL輸出CL
I.TTL輸出
CL=5pF（扇出）。它包括探頭的輸入電容或示波器
II.（H）CMOS和LVCMOS輸出
CL=15pF或50pF，取決于規(guī)格。它包括輸入探頭或示波器的電容
C.兩個(gè)互補(bǔ)方波輸出
I.PECL輸出
II.LVDS輸出
注意：
同軸電纜，沒有以其標(biāo)稱阻抗終止（通常50）會(huì)因兩個(gè)原因而導(dǎo)致輸出信號(hào)失真和性能下降原因阻抗不匹配會(huì)產(chǎn)生反射，導(dǎo)致反射失真波形。對(duì)于方波邏輯輸出，這種影響尤其顯著信號(hào)。
非端接同軸電纜的輸入阻抗約為每個(gè)100pF電表接地電容（只要電纜長(zhǎng)度小于a四分之一波長(zhǎng)）。此電容與輸入電容有關(guān)連接的設(shè)備（例如測(cè)試儀器）產(chǎn)生電容性過載條件，扭曲和退化輸出電壓。
5.電子頻率控制（EFC）
石英晶體振蕩器，提供電子頻率控制（EFC）的手段必須正確連接，以確保在標(biāo)稱頻率范圍內(nèi)運(yùn)行規(guī)定的公差。在任何情況下都應(yīng)該避免離開EFC（VC）輸入浮動(dòng)。外部控制電壓如果EFC輸入由外部直流控制電壓供電，則必須小心，直接避免直流電源電流的接地回路在VC和地之間施加控制電壓（GND）振蕩器的終端。
注意：
EFC電源產(chǎn)生的噪聲可能會(huì)降低相位噪聲和抖動(dòng)RF信號(hào)的性能。因此電池或超低噪音DC電源是精確相位噪聲和抖動(dòng)測(cè)量所必需的。
b.外部電位計(jì)
如果外部電位器用于頻率控制，則其電阻應(yīng)該低于EFC（VC）輸入的輸入阻抗因數(shù)至少五個(gè)。某些振蕩器（TCXO和OCXO）提供單獨(dú)的參考電壓輸出（VREF）端子，用于為頻率控制電位器供電。該參考電壓具有低噪聲，并且在整個(gè)溫度范圍內(nèi)的穩(wěn)定性在制造過程中考慮溫度補(bǔ)償過程。連接方案如下所示。
必須選擇電位器RC的電阻值，即VREF輸出的最大允許電流消耗（通常<1mA）不是超標(biāo)。強(qiáng)烈建議在VC輸入端進(jìn)行額外的過濾。
6.頻率穩(wěn)定性隨溫度的測(cè)試
重要的定義
工作溫度范圍：
溫度范圍，振蕩器保持規(guī)格。
可操作的溫度范圍：
溫度范圍，其中振蕩器仍然會(huì)運(yùn)行，但某些參數(shù)可能超過。
頻率溫度穩(wěn)定性：
振蕩器頻率的最大偏差，沒有參考暗示，超過標(biāo)稱電源和負(fù)載條件下的工作溫度范圍條件不變。
f-T穩(wěn)定性=±（fmax-fmin）/（fmax+fmin）
初始頻率-溫度精度：
振蕩器頻率的最大偏差是指標(biāo)稱頻率在額定電源和負(fù)載條件下的工作溫度范圍內(nèi)，其他條件不變。
f-T精度=±MAX[fmax，fmin]，
其中fmax=|（fmax-fnom）/fnom|
fmin=|（fmin-fnom）/fnom|
注意：對(duì)于SPXO晶振和VCXO晶振，有時(shí)頻率為參考溫度fref（25°C）用作參考而不是fnom。
測(cè)試程序：
未通電的振蕩器應(yīng)放置在溫度室中連接到指定的負(fù)載。對(duì)于VCXO，VC-TCXO和VC-OCXO的頻率控制電壓VC應(yīng)根據(jù)規(guī)范設(shè)定。必須確保這一點(diǎn)VC在溫度測(cè)試期間保持不變。然后指定供電電壓應(yīng)適用。振蕩器應(yīng)經(jīng)受2m/s至3m/s的適度空氣循環(huán)。這是對(duì)于測(cè)量OCXO尤為重要。如果在靜止空氣中測(cè)量溫度如果腔室，內(nèi)部烤箱的控制可能不再正常工作溫度接近工作溫度范圍的上限。SPXO晶振和VCXO的溫度斜率應(yīng)小于5K/min，小于OCXO為1K/min，熱質(zhì)量較高的設(shè)備為1K/min。房間應(yīng)該是允許通過適當(dāng)?shù)慕輹r(shí)間穩(wěn)定在指定的溫度。該輸出頻率（和幅度）的測(cè)量應(yīng)足夠達(dá)到熱平衡后的準(zhǔn)確度和分辨率。
7.相位噪聲測(cè)試
必須采取一些預(yù)防措施才能獲得準(zhǔn)確的結(jié)果。
a.電源電壓必須具有低噪聲。開關(guān)電源裝置（PSU）應(yīng)該避免。建議使用電池供電。高電容建議使用>100μF的隔直電容。
b.電子頻率控制（EFC）輸入對(duì)噪聲非常敏感直接調(diào)制晶體振蕩器級(jí)。因此控制電壓（VC）必須來自極低噪聲的直流電源，最好是一個(gè)電池。一些相位噪聲測(cè)試儀器提供合適的信號(hào)源。控制電壓應(yīng)通過屏蔽（同軸）電纜連接。如果振蕩器包含參考電壓（VREF）輸出，則它是高度的建議根據(jù)此推導(dǎo)出控制電壓第5b段所示的電路。或者，VC輸入可以連接到接地引腳。
c.為避免干擾環(huán)境的虛假響應(yīng)，它是建議將被測(cè)設(shè)備（DUT）放入電磁屏蔽柜。
d.由于其固有的壓電性，差分晶振中的晶體單元是對(duì)任何機(jī)械振動(dòng)都非常敏感。因此振蕩器下測(cè)試不應(yīng)與測(cè)試設(shè)備放在同一張桌子上風(fēng)扇和變壓器引起的振動(dòng)。即如果必須測(cè)量非常低的本底噪聲水平，則必須小心測(cè)試儀器的本底噪聲足夠低并且數(shù)量很少相關(guān)性足夠高（在互相關(guān)測(cè)試模式中）。
8.短期穩(wěn)定性測(cè)試
建議的短期穩(wěn)定性措施是所謂的AllanDeviation（ADEV）或重疊的艾倫偏差（OADEAV）。使用現(xiàn)代高分辨率計(jì)數(shù)器可能會(huì)導(dǎo)致錯(cuò)誤的結(jié)果，因?yàn)閮?nèi)部插值過程必須采取以下預(yù)防措施以避免干擾和觸發(fā)錯(cuò)誤：
-在測(cè)試設(shè)置中避免接地回路
-使用相穩(wěn)定布線
-測(cè)得的信號(hào)必須具有快速上升和衰減時(shí)間，并且抖動(dòng)較低通過方波產(chǎn)生的滯后和滯后。
-對(duì)于電源電壓和控制電壓，必須考慮相同的因素相位噪聲測(cè)量應(yīng)考慮在內(nèi)（見第7段）。
-環(huán)境溫度必須盡可能穩(wěn)定。隔熱隔熱強(qiáng)烈建議環(huán)境和氣流。聲學(xué)噪音和必須嚴(yán)格避免振動(dòng)。
-萬一需要對(duì)被測(cè)振蕩器進(jìn)行電磁屏蔽振蕩器的電磁靈敏度更高。
在計(jì)算分析之前，應(yīng)檢查數(shù)據(jù)集的一致性。如果是，則應(yīng)識(shí)別并移除異常值，即相位或頻率跳躍確切地說，這些是由外部影響造成的，并非源于信號(hào)發(fā)生器。在開始數(shù)據(jù)采集之前，有源晶體振蕩器必須連續(xù)工作在更長(zhǎng)的穩(wěn)定時(shí)間。溫度穩(wěn)定振蕩器（OCXO）需要a穩(wěn)定時(shí)間比其他振蕩器類型（SPXO，VCXO和TCXO）長(zhǎng)。根據(jù)經(jīng)驗(yàn)，穩(wěn)定的標(biāo)準(zhǔn)值應(yīng)不小于12小時(shí)，作為參考測(cè)量，應(yīng)該穩(wěn)定被測(cè)振蕩器至少24小時(shí)。
9.頻率老化測(cè)試
振蕩器應(yīng)保持在規(guī)定的溫度，容差和穩(wěn)定連續(xù)30天。插入烤箱后，振蕩器應(yīng)與室內(nèi)空氣溫度平衡。然后在開始振蕩器之前，振蕩器應(yīng)通電并穩(wěn)定1小時(shí)測(cè)量采集周期。振蕩器的初始頻率應(yīng)為在穩(wěn)定期（1小時(shí)）后立即測(cè)量，然后在間隔時(shí)間不超過72小時(shí)（每間最多間隔96小時(shí)除外）允許30天的時(shí)間）至少30天。老化溫度應(yīng)為+70°C或最高規(guī)定的操作溫度，以較低者為準(zhǔn)。
插入烘箱后，晶體振蕩器應(yīng)穩(wěn)定老化開始測(cè)量采集前48小時(shí)的溫度（除非另有規(guī)定）。每個(gè)單元的頻率應(yīng)在緊接著之后進(jìn)行測(cè)量穩(wěn)定期，然后每周最少四次，間隔為至少20個(gè)小時(shí)。
a.非溫穩(wěn)定振蕩器的老化試驗(yàn)
-開機(jī)至少一小時(shí)。
-初始測(cè)量參考溫度下的頻率，例如25°C。
-在Toven的烤箱中存放Toven，例如85°C或TBD但不高于最高可操作溫度。
-1,2,5,10,20天后的中間測(cè)量。
-測(cè)量時(shí)，將振蕩器從烤箱中取出，然后存放在室內(nèi)溫度保持1小時(shí)，以避免溫度沖擊
-測(cè)量參考溫度下的頻率
-頻率@參考溫度30天后的最終測(cè)量灣OCXO的老化測(cè)試
-OCXO保持室溫
-通電至少兩小時(shí)。
-每周5次頻率的中間測(cè)量（AXTAL：一次每隔一小時(shí)）。
-30天后的最終頻率測(cè)量。
-從第3天開始的數(shù)據(jù)擬合和評(píng)估。獲得的測(cè)量值應(yīng)使用最小二乘法的方法擬合
以下公式：
-每天老化（老化率）=f（d0+1）-f（d0）
-每月老齡化=f（d0+30）-f（d0）
-每年的老齡化=f（d0+365）-f（d0），其中f（t）是老化近似值a）或b）之一，擬合參數(shù)a0，a1，a2和d0是老化測(cè)試的最后一天加上30天。
注意：
代替頻率f（以Hz為單位）通常使用相對(duì)頻率（以ppm或ppb為單位）。
10.根據(jù)MIL-PRF-55310進(jìn)行篩選
對(duì)高可靠性振蕩器進(jìn)行100％篩選測(cè)試。為了高可靠性空間應(yīng)用應(yīng)用篩選等級(jí)S，以獲得其他高可靠性應(yīng)用篩選級(jí)別B。適用于1類振蕩器（分立技術(shù)）和3類振蕩器（混合技術(shù)）篩選程序包括以下步驟：
LVDS振蕩器是差分晶振的一種，應(yīng)用的意義和范圍比較大，是現(xiàn)代化科技發(fā)展，工業(yè)發(fā)展當(dāng)中，不可缺少的一種頻率元件，德國(guó)AXTAL晶振公司是量產(chǎn)LVDS系列產(chǎn)品的佼佼者，產(chǎn)品可通過金洛鑫電子訂購(gòu)，咨詢熱線：0755-27837162。
1.ESD（靜電敏感器件）處理
晶體振蕩器是靜電敏感器件。直接接觸終端必須避免用手指。根據(jù)既定的ESD進(jìn)行適當(dāng)?shù)奶幚肀仨氉袷豂EC61340-5-1和EN100015-1中的處理規(guī)則由于內(nèi)部電路的損壞導(dǎo)致振蕩器性能下降通過靜電。如果沒有另行說明，我們的振蕩器符合要求符合IEC61000-4-2的人體模型（HBM）
2.處理
處理過程中機(jī)械沖擊過大以及手動(dòng)和自動(dòng)必須避免組裝。如果振蕩器無意中掉落或否則受到強(qiáng)烈沖擊，應(yīng)驗(yàn)證電氣功能仍在規(guī)范范圍內(nèi)。
3.電源
為了避免不受控制的電位，差分晶體振蕩器應(yīng)該在之后才能上電所有終端都正確連接。“熱插件”已經(jīng)進(jìn)入了一個(gè)夾具必須避免連接供電。極性錯(cuò)誤或電源電壓過高都可能導(dǎo)致永久性損壞振蕩器。
強(qiáng)烈建議添加一個(gè)或兩個(gè)最短的阻塞電容直流電源輸入（VCC）端子和地（GND）之間可能的接線振蕩器的終端。典型值為10nF（X7R）和100pF（C0G）。一個(gè)μF范圍內(nèi)的額外大容量電容可插入電路板上的任何位置。良好的工程實(shí)踐是使用地面和電源電壓平面（多層）印刷電路板。如果振蕩器輸出信號(hào)的低相位噪聲是一個(gè)問題，必須特別小心選擇低噪聲，低雜散電源。以供參考測(cè)量強(qiáng)烈建議使用電池進(jìn)行操作。
4.射頻輸出
RF輸出必須按指定的負(fù)載終止，如下所示。一個(gè)。正弦波輸出，Ω終端Ω終端應(yīng)直接連接在RF輸出端終端或50Ω同軸電纜的末端。如果有多個(gè)連接（例如示波器或功率計(jì)和頻率如果需要，應(yīng)使用50power的功率分配器或耦合器。為了準(zhǔn)確測(cè)量幅度，必須確保輸入測(cè)試儀器的阻抗精確為Ω，VSWR在內(nèi)指定的限制。對(duì)于某些示波器而言，情況并非如此頻率計(jì)數(shù)器。在這種情況下，應(yīng)插入10dB衰減器儀器輸入。
單方波（邏輯）輸出一世。TTL輸出CL
II.（H）CMOS和LVCMOS輸出
C.兩個(gè)互補(bǔ)方波輸出
同軸電纜，沒有以其標(biāo)稱阻抗終止（通常50）會(huì)因兩個(gè)原因而導(dǎo)致輸出信號(hào)失真和性能下降原因阻抗不匹配會(huì)產(chǎn)生反射，導(dǎo)致反射失真波形。對(duì)于方波邏輯輸出，這種影響尤其顯著信號(hào)。
非端接同軸電纜的輸入阻抗約為每個(gè)100pF電表接地電容（只要電纜長(zhǎng)度小于a四分之一波長(zhǎng)）。此電容與輸入電容有關(guān)連接的設(shè)備（例如測(cè)試儀器）產(chǎn)生電容性過載條件，扭曲和退化輸出電壓。
5.電子頻率控制（EFC）
石英晶體振蕩器，提供電子頻率控制（EFC）的手段必須正確連接，以確保在標(biāo)稱頻率范圍內(nèi)運(yùn)行規(guī)定的公差。在任何情況下都應(yīng)該避免離開EFC（VC）輸入浮動(dòng)。外部控制電壓如果EFC輸入由外部直流控制電壓供電，則必須小心，直接避免直流電源電流的接地回路在VC和地之間施加控制電壓（GND）振蕩器的終端。
注意：
EFC電源產(chǎn)生的噪聲可能會(huì)降低相位噪聲和抖動(dòng)RF信號(hào)的性能。因此電池或超低噪音DC電源是精確相位噪聲和抖動(dòng)測(cè)量所必需的。
b.外部電位計(jì)
如果外部電位器用于頻率控制，則其電阻應(yīng)該低于EFC（VC）輸入的輸入阻抗因數(shù)至少五個(gè)。某些振蕩器（TCXO和OCXO）提供單獨(dú)的參考電壓輸出（VREF）端子，用于為頻率控制電位器供電。該參考電壓具有低噪聲，并且在整個(gè)溫度范圍內(nèi)的穩(wěn)定性在制造過程中考慮溫度補(bǔ)償過程。連接方案如下所示。
6.頻率穩(wěn)定性隨溫度的測(cè)試
重要的定義
工作溫度范圍：
溫度范圍，振蕩器保持規(guī)格。
可操作的溫度范圍：
溫度范圍，其中振蕩器仍然會(huì)運(yùn)行，但某些參數(shù)可能超過。
頻率溫度穩(wěn)定性：
振蕩器頻率的最大偏差，沒有參考暗示，超過標(biāo)稱電源和負(fù)載條件下的工作溫度范圍條件不變。
f-T穩(wěn)定性=±（fmax-fmin）/（fmax+fmin）
初始頻率-溫度精度：
振蕩器頻率的最大偏差是指標(biāo)稱頻率在額定電源和負(fù)載條件下的工作溫度范圍內(nèi)，其他條件不變。
f-T精度=±MAX[fmax，fmin]，
其中fmax=|（fmax-fnom）/fnom|
fmin=|（fmin-fnom）/fnom|
注意：對(duì)于SPXO晶振和VCXO晶振，有時(shí)頻率為參考溫度fref（25°C）用作參考而不是fnom。
測(cè)試程序：
未通電的振蕩器應(yīng)放置在溫度室中連接到指定的負(fù)載。對(duì)于VCXO，VC-TCXO和VC-OCXO的頻率控制電壓VC應(yīng)根據(jù)規(guī)范設(shè)定。必須確保這一點(diǎn)VC在溫度測(cè)試期間保持不變。然后指定供電電壓應(yīng)適用。振蕩器應(yīng)經(jīng)受2m/s至3m/s的適度空氣循環(huán)。這是對(duì)于測(cè)量OCXO尤為重要。如果在靜止空氣中測(cè)量溫度如果腔室，內(nèi)部烤箱的控制可能不再正常工作溫度接近工作溫度范圍的上限。SPXO晶振和VCXO的溫度斜率應(yīng)小于5K/min，小于OCXO為1K/min，熱質(zhì)量較高的設(shè)備為1K/min。房間應(yīng)該是允許通過適當(dāng)?shù)慕輹r(shí)間穩(wěn)定在指定的溫度。該輸出頻率（和幅度）的測(cè)量應(yīng)足夠達(dá)到熱平衡后的準(zhǔn)確度和分辨率。
7.相位噪聲測(cè)試
必須采取一些預(yù)防措施才能獲得準(zhǔn)確的結(jié)果。
a.電源電壓必須具有低噪聲。開關(guān)電源裝置（PSU）應(yīng)該避免。建議使用電池供電。高電容建議使用>100μF的隔直電容。
b.電子頻率控制（EFC）輸入對(duì)噪聲非常敏感直接調(diào)制晶體振蕩器級(jí)。因此控制電壓（VC）必須來自極低噪聲的直流電源，最好是一個(gè)電池。一些相位噪聲測(cè)試儀器提供合適的信號(hào)源。控制電壓應(yīng)通過屏蔽（同軸）電纜連接。如果振蕩器包含參考電壓（VREF）輸出，則它是高度的建議根據(jù)此推導(dǎo)出控制電壓第5b段所示的電路。或者，VC輸入可以連接到接地引腳。
c.為避免干擾環(huán)境的虛假響應(yīng)，它是建議將被測(cè)設(shè)備（DUT）放入電磁屏蔽柜。
d.由于其固有的壓電性，差分晶振中的晶體單元是對(duì)任何機(jī)械振動(dòng)都非常敏感。因此振蕩器下測(cè)試不應(yīng)與測(cè)試設(shè)備放在同一張桌子上風(fēng)扇和變壓器引起的振動(dòng)。即如果必須測(cè)量非常低的本底噪聲水平，則必須小心測(cè)試儀器的本底噪聲足夠低并且數(shù)量很少相關(guān)性足夠高（在互相關(guān)測(cè)試模式中）。
8.短期穩(wěn)定性測(cè)試
建議的短期穩(wěn)定性措施是所謂的AllanDeviation（ADEV）或重疊的艾倫偏差（OADEAV）。使用現(xiàn)代高分辨率計(jì)數(shù)器可能會(huì)導(dǎo)致錯(cuò)誤的結(jié)果，因?yàn)閮?nèi)部插值過程必須采取以下預(yù)防措施以避免干擾和觸發(fā)錯(cuò)誤：
-在測(cè)試設(shè)置中避免接地回路
-使用相穩(wěn)定布線
-測(cè)得的信號(hào)必須具有快速上升和衰減時(shí)間，并且抖動(dòng)較低通過方波產(chǎn)生的滯后和滯后。
-對(duì)于電源電壓和控制電壓，必須考慮相同的因素相位噪聲測(cè)量應(yīng)考慮在內(nèi)（見第7段）。
-環(huán)境溫度必須盡可能穩(wěn)定。隔熱隔熱強(qiáng)烈建議環(huán)境和氣流。聲學(xué)噪音和必須嚴(yán)格避免振動(dòng)。
-萬一需要對(duì)被測(cè)振蕩器進(jìn)行電磁屏蔽振蕩器的電磁靈敏度更高。
在計(jì)算分析之前，應(yīng)檢查數(shù)據(jù)集的一致性。如果是，則應(yīng)識(shí)別并移除異常值，即相位或頻率跳躍確切地說，這些是由外部影響造成的，并非源于信號(hào)發(fā)生器。在開始數(shù)據(jù)采集之前，有源晶體振蕩器必須連續(xù)工作在更長(zhǎng)的穩(wěn)定時(shí)間。溫度穩(wěn)定振蕩器（OCXO）需要a穩(wěn)定時(shí)間比其他振蕩器類型（SPXO，VCXO和TCXO）長(zhǎng)。根據(jù)經(jīng)驗(yàn)，穩(wěn)定的標(biāo)準(zhǔn)值應(yīng)不小于12小時(shí)，作為參考測(cè)量，應(yīng)該穩(wěn)定被測(cè)振蕩器至少24小時(shí)。
9.頻率老化測(cè)試
振蕩器應(yīng)保持在規(guī)定的溫度，容差和穩(wěn)定連續(xù)30天。插入烤箱后，振蕩器應(yīng)與室內(nèi)空氣溫度平衡。然后在開始振蕩器之前，振蕩器應(yīng)通電并穩(wěn)定1小時(shí)測(cè)量采集周期。振蕩器的初始頻率應(yīng)為在穩(wěn)定期（1小時(shí)）后立即測(cè)量，然后在間隔時(shí)間不超過72小時(shí)（每間最多間隔96小時(shí)除外）允許30天的時(shí)間）至少30天。老化溫度應(yīng)為+70°C或最高規(guī)定的操作溫度，以較低者為準(zhǔn)。
插入烘箱后，晶體振蕩器應(yīng)穩(wěn)定老化開始測(cè)量采集前48小時(shí)的溫度（除非另有規(guī)定）。每個(gè)單元的頻率應(yīng)在緊接著之后進(jìn)行測(cè)量穩(wěn)定期，然后每周最少四次，間隔為至少20個(gè)小時(shí)。
a.非溫穩(wěn)定振蕩器的老化試驗(yàn)
-開機(jī)至少一小時(shí)。
-初始測(cè)量參考溫度下的頻率，例如25°C。
-在Toven的烤箱中存放Toven，例如85°C或TBD但不高于最高可操作溫度。
-1,2,5,10,20天后的中間測(cè)量。
-測(cè)量時(shí)，將振蕩器從烤箱中取出，然后存放在室內(nèi)溫度保持1小時(shí)，以避免溫度沖擊
-測(cè)量參考溫度下的頻率
-頻率@參考溫度30天后的最終測(cè)量灣OCXO的老化測(cè)試
-OCXO保持室溫
-通電至少兩小時(shí)。
-每周5次頻率的中間測(cè)量（AXTAL：一次每隔一小時(shí)）。
-30天后的最終頻率測(cè)量。
-從第3天開始的數(shù)據(jù)擬合和評(píng)估。獲得的測(cè)量值應(yīng)使用最小二乘法的方法擬合
以下公式：
-每天老化（老化率）=f（d0+1）-f（d0）
-每月老齡化=f（d0+30）-f（d0）
-每年的老齡化=f（d0+365）-f（d0），其中f（t）是老化近似值a）或b）之一，擬合參數(shù)a0，a1，a2和d0是老化測(cè)試的最后一天加上30天。
注意：
代替頻率f（以Hz為單位）通常使用相對(duì)頻率（以ppm或ppb為單位）。
10.根據(jù)MIL-PRF-55310進(jìn)行篩選
對(duì)高可靠性振蕩器進(jìn)行100％篩選測(cè)試。為了高可靠性空間應(yīng)用應(yīng)用篩選等級(jí)S，以獲得其他高可靠性應(yīng)用篩選級(jí)別B。適用于1類振蕩器（分立技術(shù)）和3類振蕩器（混合技術(shù)）篩選程序包括以下步驟：
正在載入評(píng)論數(shù)據(jù)...
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