百利通亞陶公司為臺灣知名晶體元器件制造商,通過自身的努力與信念,成為了杰出的上市集團公司,其中離不開其敢于克服每一次所遇到的困難,并且懂得在困難中找到最優的解決方案,付諸于行動,反思自身不足之處,并快速補足補足之處,才有如今的Diodes公司,每一步走來看似很簡單,實則可謂用心到極致,不斷成長與創新能力,是亞陶的發展重要之道.專注于研發設計生產高質量的石英晶體諧振器,有源晶振,溫補振蕩器等系列產品線,并確保所生產的產品質量,以完美狀態呈現給每一位用戶,并以高于用戶期待要求自身。亞陶編碼FQ1200007是一種有著極強耐壓性和微型貼片的石英晶體,常用于數碼相機和智能手機,ECERA高質量晶振

FL3200022	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	32MHz	±10ppm
FL1200135	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	12MHz	±50ppm
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FL1200060	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	12MHz	±30ppm
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FL2500047	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	25MHz	±20ppm
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Diodes Incorporated (Nasdaq: DIOD), a Standard and Poor's Smallcap 600 and Russell 3000 Index company, is a leading global manufacturer and supplier of high-quality application-specific standard products within the broad discrete, logic, analog, and mixed-signal semiconductor markets. Diodes serves the consumer electronics, computing, communications, industrial, and automotive markets.Diodes Incorporated (Nasdaq: DIOD) 是標準普爾小型股 600指數和羅素3000指數公司，是廣泛的分立、邏輯、模擬和混合信號半導體領域的高質量有源晶振專用標準產品的全球領先制造商和供應商市場。Diodes服務于消費電子、計算、通信、工業和汽車市場。

FL3740009	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	37.4MHz	±15ppm
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FY2500016	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FY	MHz Crystal	25MHz	±30ppm
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Diodes公司總部和美洲銷售辦事處位于德克薩斯州普萊諾和加利福尼亞州米爾皮塔斯。設計、營銷和工程中心位于普萊諾；米爾皮塔斯；臺北、桃園市、竹北市、臺灣；上海，揚州，中國；英格蘭奧爾德姆；和德國諾伊豪斯。百利通亞陶晶振公司（納斯達克股票代碼：DIOD）推出了一系列采用節省空間、熱效率高的 TOLL (PowerDI ® 1012-8) 封裝的汽車 MOSFET。能夠在 175°C 下工作，額定電壓為 100V 的DMTH10H1M7STLWQ和DMTH10H2M5STLWQ以及額定電壓為 80V 的DMTH8001STLWQ MOSFET 占用的 PCB 面積比 TO263 少 20%。這些器件的板外輪廓僅為 2.4 毫米。這使得它們非常適合用于高可靠性電源應用，例如能量回收、集成啟動交流發電機和配備電池的車輛中的 DC-DC 轉換器。

US3200005Z	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ US	MHz Crystal	32MHz	±10ppm
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FH3200011	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FH	MHz Crystal	32MHz	±10ppm
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FH2400049	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FH	MHz Crystal	24MHz	±30ppm
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TOLL 封裝使用夾式鍵合來實現低封裝電阻和減少寄生封裝電感，使 DMTH8001STLWQ、DMTH10H1M7STLWQ 和 DMTH10H2M5STLWQ 在 10V 柵極驅動下分別實現 1.3mΩ、1.4mΩ 和 1.68mΩ 的典型導通電阻。此外，低寄生封裝電感提高了電路 EMI 性能。亞陶編碼FQ1200007是一種有著極強耐壓性和微型貼片的石英晶體,常用于數碼相機和智能手機,ECERA高質量晶振

TOLL 封裝的焊料接觸面積比 TO263 大 50%，可實現 0.65°C/W 的結殼熱阻抗，從而使這些 MOSFET 能夠處理高達 270A 的電流。它們的鍍錫梯形凹槽引線有助于促進自動光學檢測 (AOI) 程序。這些 MOSFET 符合 AEC-Q101、PPAP 標準，并在 IATF 16949 認證設施中制造。