Diodes公司為廣泛的物聯(lián)網(wǎng)和通信設(shè)備提供廣泛的機(jī)會,同時針對性提供晶體振蕩器元器件的完美解決方案.在電子元器件領(lǐng)域深耕幾十年,涉及產(chǎn)品眾多,百利通亞陶公司今日宣布推出PCIe® 3.0 封包交換 IC。DIODES™ PI7C9X3G1632GP提供靈活的多端口和通道寬度配置，從而提高性能和可用性水平。這將證明在處理人工智能/深度學(xué)習(xí)工作負(fù)載、數(shù)據(jù)存儲設(shè)備、數(shù)據(jù)中心服務(wù)器、無線/有線電信基礎(chǔ)設(shè)施和各種形式的現(xiàn)代嵌入式硬件的系統(tǒng)中是有益的。G93270001超小型的石英晶體,非常適合用于微處理器的低功耗和待機(jī)模式,ECERA品牌

FH4000047	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FH	MHz Crystal	40MHz	±10ppm
FH4000047	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FH	MHz Crystal	40MHz	±10ppm
GB0400034	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ GB	MHz Crystal	4MHz	±30ppm
GB1000015	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ GB	MHz Crystal	10MHz	±30ppm
FW1600008	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FW	MHz Crystal	16MHz	±20ppm
FW1600008	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FW	MHz Crystal	16MHz	±20ppm
FW1600008	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FW	MHz Crystal	16MHz	±20ppm
FW1920001	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FW	MHz Crystal	19.2MHz	±20ppm
FW1920001	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FW	MHz Crystal	19.2MHz	±20ppm
FW1920001	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FW	MHz Crystal	19.2MHz	±20ppm
F90800018Q	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ F9	MHz Crystal	8MHz	±50ppm
F90800018Q	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ F9	MHz Crystal	8MHz	±50ppm
F90800018Q	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ F9	MHz Crystal	8MHz	±50ppm
FY2400053	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FY	MHz Crystal	24MHz	±10ppm
FY2400053	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FY	MHz Crystal	24MHz	±10ppm
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FL2400097	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	24MHz	±15ppm
FL2400097	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	24MHz	±15ppm
FL2400097	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	24MHz	±15ppm
FL3840015Z	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	38.4MHz	±10ppm
FL3840015Z	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	38.4MHz	±10ppm

PI7C9X3G1632GP 的基本架構(gòu)由 2 個 Tile 組成，每個 Tile 具有 8 個端口和 16 個通道，這使其能夠在從 2 個端口一直到 16 個端口的配置選項(xiàng)中支持 32 個 SERDES 通道。為了解決各種潛在應(yīng)用，例如端口扇出和連接到多個主機(jī)，可以分配不同的端口類型。其中包括上游、下游和跨域端點(diǎn) (CDEP) 端口。
百利通亞陶晶振推出新型的PI7C9X3G1632GP中嵌入了多個DMA通道，以實(shí)現(xiàn)主機(jī)/主機(jī)和連接端點(diǎn)之間更有效的數(shù)據(jù)通信。所展示的低數(shù)據(jù)包轉(zhuǎn)發(fā)延遲（<150ns 典型值）意味著可以實(shí)現(xiàn)高性能數(shù)據(jù)傳輸。集成 PCIe 3.0 時鐘緩沖器有助于降低總體物料清單成本并簡化實(shí)施過程。

FL3840015Z	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	38.4MHz	±10ppm
FL1840006	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	18.432MHz	±20ppm
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FL1840006	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	18.432MHz	±20ppm
FL2500281	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	25MHz	±50ppm
FL2500281	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	25MHz	±50ppm
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FL1350008	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	13.5MHz	±20ppm
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FL3740015	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	37.4MHz	±15ppm
FL3740015	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	37.4MHz	±15ppm
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FL1920031	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	19.2MHz	±10ppm
FL1920031	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	19.2MHz	±10ppm
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FL2400041	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	24MHz	±30ppm
FL2400041	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	24MHz	±30ppm
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FL2400072	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	24MHz	±30ppm
FL2400072	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	24MHz	±30ppm
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更多功能的結(jié)合，例如高級錯誤報告、錯誤處理和端到端數(shù)據(jù)保護(hù)，都是確保持續(xù)傳輸可靠性的關(guān)鍵。此外，使用內(nèi)置熱傳感器監(jiān)控操作條件。
先進(jìn)的電源管理功能可顯著節(jié)省能源，使 PI7C9X3G1632GP 能夠在 -40°C 至 85°C 的工業(yè)溫度范圍內(nèi)運(yùn)行，并使其可用于廣泛的應(yīng)用。
PI7C9X3G1632GP數(shù)據(jù)包開關(guān)采用 676 引腳 FCBGA 封裝，占位面積為 27mm x 27mm。G93270001超小型的石英晶體,非常適合用于微處理器的低功耗和待機(jī)模式,ECERA品牌

FL1600087	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	16MHz	±15ppm
FL1600087	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	16MHz	±15ppm
FL1600087	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	16MHz	±15ppm
FL1000002	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	10MHz	±25ppm
FL1000002	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	10MHz	±25ppm
FL1000002	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	10MHz	±25ppm
FL2600176	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	26MHz	±40ppm
FL2600176	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	26MHz	±40ppm
FL2600176	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	26MHz	±40ppm
FL1600044	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	16MHz	±15ppm
FL1600044	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	16MHz	±15ppm
FL1600044	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	16MHz	±15ppm
FL3840006	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	38.4MHz	±10ppm
FL3840006	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	38.4MHz	±10ppm
FL3840006	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	38.4MHz	±10ppm
FL3000027	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	30MHz	±10ppm
FL3000027	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	30MHz	±10ppm
FL3000027	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	30MHz	±10ppm
FL3200022	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	32MHz	±10ppm
FL3200022	Diodes晶振	SaRonix-eCera™ FL	MHz Crystal	32MHz	±10ppm

產(chǎn)品特性
堅(jiān)固耐用，陶瓷成型，抗沖擊和振動
優(yōu)良的耐熱沖擊和環(huán)境特征
非常適合自動取放裝配環(huán)境
可在磁帶和卷軸;8毫米磁帶;3000單位每卷
無鉛和RoHS/綠色標(biāo)準(zhǔn)
產(chǎn)品描述
G9系列為32.768 kHz音叉型石英晶體安裝在陶瓷模塑包中。